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Si7922DN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS
0.5
T A = 25 °C, unless otherwise noted
320
280
0.4
240
C iss
0.3
0.2
0.1
V GS = 6 V
V GS = 10 V
200
160
120
80
40
C oss
0.0
0
C rss
0
2
4
6
8
10
0
20
40
60
80
100
10
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
2.2
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
V DS = 50 V
I D = 2.5 A
2.0
V GS = 10 V
I D = 2.5 A
8
1.8
6
4
1.6
1.4
1.2
1.0
2
0.8
0
0.6
0
1
2
3
4
5
6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
10
1
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
I D = 2.5 A
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 72031
S-81544-Rev. E, 07-Jul-08
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
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